Al:ZNO İNCE FİLMLERİN OPTİK VE
Benzer belgeler
Ag/ZnO/p–Si YAPISININ ELEKTRİKSEL
bileşikler örnek olarak verilebilir. II–VI bileşiklerinin yasak enerji aralığı 1.8–4 eV civarındadır. Bu bileşikler kızılötesi dedektörler, güneş pilleri, lazerler ve çeşitli diyotların üretiminde ...
DetaylıGöster/Aç - Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi
araştırılmaya başlandı. ZnO'ya ilginin tekrar uyanmasının nedenleri direkt geniş bant aralığı (300 K'de Eg=3.3 eV), yüksek eksiton bağlanma enerjisi (60 meV) ve etkin ışımalı yeniden birleşmedir. E...
Detaylı