Al:ZNO İNCE FİLMLERİN OPTİK VE

Transkript

Al:ZNO İNCE FİLMLERİN OPTİK VE

                                    

Benzer belgeler

Ag/ZnO/p–Si YAPISININ ELEKTRİKSEL

Ag/ZnO/p–Si YAPISININ ELEKTRİKSEL bileşikler örnek olarak verilebilir. II–VI bileşiklerinin yasak enerji aralığı 1.8–4 eV civarındadır. Bu bileşikler kızılötesi dedektörler, güneş pilleri, lazerler ve çeşitli diyotların üretiminde ...

Detaylı

Göster/Aç - Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi

Göster/Aç - Nevşehir Hacı Bektaş Veli Üniversitesi araştırılmaya başlandı. ZnO'ya ilginin tekrar uyanmasının nedenleri direkt geniş bant aralığı (300 K'de Eg=3.3 eV), yüksek eksiton bağlanma enerjisi (60 meV) ve etkin ışımalı yeniden birleşmedir. E...

Detaylı