Sözlü Sunumlar
Transkript
Sözlü Sunumlar
SÖZLÜ SUNUMLAR S01 SmMn2-xFexGe2 Alaşımlarının Magnetik Özellikleri A. Elmalı, Y. Elerman, I. Dinçer Fizik Mühendiliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler, Ankara Üstün iletkenlik, magnetizma, karışık valans, ağır fermiyon ve Kondo davranışı gibi çok geniş alanlarda gösterdiği özelliklerden dolayı son yıllarda RMn2X2 (R: nadir yer elementi ve X: Si veya Ge)alaşımları oldulça fazla incelenmektedir. Bu alaşımlarda Mn tabakalarının magnetik düzenlenimi tabaka içi Mn-Mn uzaklığına dMn-Mn bağlıdır. Bu alaşımlar dMn-Mn>2.87Å için ferromagnetiktir, buna karşın dMn-Mn<2.87Å için ise antiferromagnetiktir [1]. RMn2Ge2 alaşımları arasında SmMn2Ge2 kritik uzaklık olan 2.87Å’a yakın bir Mn-Mn uzaklığına sahip olduğundan özel bir örnektir. Nötron kırınım ve Mössbauer çalişmalarına göre bu alaşım TN2(Mn)=385 K’in üzerinde paramagnetiktir. Bu sıcaklığın altında TC(Mn)=345 K e kadar ise tabaka içi antiferromagnetik yapıya sahiptir. Curie sıcaklığının altında ise bu alaşım ferromagnetik özellik gösterir TN1(Mn)=155 K’e kadar. 155 K’de dMn-Mn<2.87Å’den küçük bir Mn-Mn uzaklığına sahip olduğundan bu alaşım tekrar antiferromagnetik özellik gösterir. TSm=100 K’de ise Sm alt örgüsü ferromagnetik düzenlenir ve aynı anda Mn alt örgüsüde antiferromagnetik yapıdan ferromagnetik yapıya geçer. Ayrıca doğal tabakalı yapıya sahip olan bu alaşım, ince filmlerdeki gibi BMD (Büyük Magnetik Direnç; GMR (Giant magnetoresistance)) özelliği göstermektedir [2]. Bu çalışmada, Mn metali bir başka 3d geçiş metali olan Fe ile yer değiştirilmesi sonucu SmMn2Ge2 alaşımının magnetik özelliklerinin nasıl degişeceği incelenmiştir. Düşük bir dış alanda sicaklığa bağlı magetik ölçümler yapılmştır. x= 0.05 ve 0.1 örnekleri SmMn2Ge2 ile benzer magnetizosyon eğrisine sahip olduğu gözlenmiştir. SMn2Ge2’den farklı olarak TN2(Mn) ve TC(Mn) arasındaki ferromagnetik bölgenin küçüldüğü gözlenmiştir. Bu ferromagnetik bölge 0.15≤x≤1.0 için gözlenmemiştir. Düşük sıcaklıklarda ise Sm alt örgüsü ferromagnetik düzenlenime sahiptir. Ayrıca düşük alan ölçümleri (50 Oe) ile kilitlenme etkisi gözlenmiş bu kilitlenme etkisi ile TC(Mn), TN1(Mn) ve TSm geçiş sıcaklıkları tam olarak belirlenmiştir. SmMn2Ge2’nin nötron kırınım çalışması ve x’in 0.05-1.0 değerleri için yapılan magnetik ölçümler sonucunda elde edilen sonuçlar ile bir magnetik faz diyagramı çizilmiştir [3]. [1] A. Szytula, J. Leciejewicz, in: K.A. Gschneidner Jr., L. Eyring (Eds.), Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths 12 (1989) 133 [2] R. Mallik, E.V. Sampahtkumaran, P.L. Paulose Phys. B 230-232 (1997) 731. [3] I. Dincer, A. Elmali, Y. Elerman, J. Magn. Magn. Mater. Yayına kabul edildi. S02 Pr1-xGdxMn2Ge2 (0.0≤x≤1.0) Bileşiklerinin Magnetik Özellikleri A. Kılıça, S. Kervanb, Ş. Özcanc, A. Gencera a Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Ankara Üniversitesi, 06100, Beşevler, Ankara TAEK, Ankara Nükleer Araştırma ve Eğitim Merkezi, Malzeme Araştırma Bölümü, 06100, Beşevler, Ankara c Fizik Mühendisliği Bölümü,Mühendislik Fakültesi,Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara b Bu çalışmada, Pr1-xGdxMn2Ge2 (0.0≤x≤1.0) örneğinin yapısal ve magnetik karakterizasyonu XRD (Xray diffraction ), DSC (differential scanning calorimetry), AC alınganlık ölçümleri ile yapıldı. Bütün bu bileşikler hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2 tipi yapıda kristallenir ve uzay grubu I4/mmm’dir. Birim hücre parametreleri Vegard yasasına uyarlar. Bu sistemdeki örnekler Gd konsantrasyonu x'e bağlı olarak, PrMn2Ge2 bileşiğindeki ferromagnetik düzenlenmeden GdMn2Ge2 bileşiğinde görülen antiferromagnetik düzenlenmeye doğru bir geçiş gösterir. Düşük sıcaklıklarda, nadir toprak alt örgüsü de düzenlenerek Mn alt örgüsü yeniden şekillenir. Sonuç olarak magnetik faz geçiş sıcaklıklarından yararlanılarak x-T magnetik faz diyagramı elde edildi. S03 Bazı vic-dioksime Türevleri ile Langmuir Tek Katmanların Hazırlanarak Kompleks Oluşturma Davranışlarının İncelenmesi ve Elde Edilen Şartlarda LB Filmlerinin Üretilmesi B. Kesimli, A. Topaçlı, C. Topaçlı, G.Gümüşa, İ. Gürola, V. Ahsena,b Fizik Mühendisliği Bölümü,Mühendislik Fakültesi,Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara a TÜBİTAK-Marmara Araştırma Merkezi-Gebze/Kocaeli b Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü-Gebze/Kocaeli Birkaç nanometre (bir tek tabaka) kalınlığındaki ince organik filmler; sensörler, dedektörler, göstergeler ve elektronik devre bileşenleri gibi bir çok ticari ve pratik uygulama alanı bulduğundan büyük ilgi görmektedir. Neredeyse sınırsız şartlarda istenilen yapı ve fonksiyonelliğe sahip organik moleküllerin sentezlenebilme olasılığı oldukça gelişmiş film biriktirme teknikleri ile birleştiğinde nanometre skalasında elektrik, optik ve biyolojik olarak aktif parçalar üretimi yapılabilmektedir. Katı bir alttaş üzerine organik ince film biriktirmenin ısıl buharlaştırma, püskürtme (sputtering), moleküler demet epitaksi (molecular beam epitaxy), Langmuir-Blodgett tekniği ve kendiliğinden bir araya gelme (self assembly) gibi birçok değişik yöntemi vardır. Langmuir-Blodgett tekniği; tek tabaka kalınlığının tam kontrolüne, geniş alanlar üzerine homojen film biriktirebilme ve değişen katman kompozisyonlarında ardarda farklı yapılı çok katlı filmler biriktirebilme olanağı sağladığından teknoloji ve film kalitesi olarak öne çıkan bir tekniktir [1-4]. Nano mertebesinde yapılan çalışmalar geliştikçe LB film hazırlama tekniği daha fazla dikkat çekmeye başlamıştır. Seçilen yüzey aktif malzemeye bağlı olarak elde edilen yapı iyi bir dielektrik, pyro, piezo veya ferroelektrik bir film olabilir. Üretilen bu filmler pyroelektrik IR dedektörleri, piezoelektrik dönüştürgenler, göstergeler, ferroelektrik bilgi saklama devreleri gibi bir çok uygulama alanında kullanılır. Ayrıca LB filmler gaz dedektörleri için hassas algılama malzemeleri ve farklı organik bileşikler için seçici olarak kullanılan biosensörler üretiminde kullanılmaktadır [1]. Katı bir alttaş üzerine ardarda benzer katmanlar kaplanabileceği gibi kullanılan su havuzu uygun ise birbirinden farklı iki ayrı madde ile çalışılıp ardarda farklı katmanlar kaplamak da mümkündür. Bu tür yapılar pyroelektrik LB filmlerin yapılmasında kullanılır. Bu çalışmada, bir grup vic-dioksim türevi ile çalışılmıştır ve bu örneklerin Langmuir monolayerlarının kararlılıkları ve kompleks oluşturma davranışları üzerinde incelemeler yapılmıştır. 12,13bis(hydroxyimino)-11,14-diazatetracosane(DTC),14,15-bis(hydroxyimino)-13,16dithiaoctacosane(DOC) ve 14,15-bis(hydroxyimino)-13-thiaoctacosane (TOC) örnekleri [5,6] ile hava/su arayüzünde Langmuir filmleri hazırlanarak basınç-alan izotermleri kaydedilmiş ve bu tek katmanların kararlılığı kullanılan arafaz sıvısının pH’ına bağlı olarak incelenmiştir. Ayrıca farklı metal iyonları ile hazırlanan arafaz sıvıları üzerinde de aynı örneklerin tek katman davranışları araştırılmıştır. Bu incelemeler sonucunda ligandlar için arafaz sıvısı içerisindeki metal konsantrasyonunun, kompleks oluşumu süresinin ve karşıt iyon etkisinin ligandların kompleks oluşturmasında önemli rol oynadığı sonucuna varılmıştır. Daha sonra söz konusu ligandların bu çalışmalar ile belirlenen tek katman şartlarına uygun olarak çok katlı LB filmleri hazırlanmıştır ve ardarda biriktirilen LB filmlerin pyrolelektrik aktivite gösterip göstermediği incelenmiştir. Bu incelemeler sıcaklığa ve katman sayısına bağlı olarak yürütülmüştür. [1] Ulman, A., Ultrathin Organic Films, Academic Press, New York, 1990. [2] Roberts, G., Langmuir-Blodgett Films, Plenum Press, New York, 1990. [3] Ashwell, J. G., Molecular Electronics, Research Studies Press, England [4] Langmuir-Blodgett Instruments Tensiometers Goniometers Surface Chemistry. http://www.ksvinc.com/LB.htm [5] Gürol, I., Ahsen, V., Bekaroğlu, Ö., J. Chem. Soc. Dalton Trans. (1992) 2283. [6] Gürol, I., Ahsen, V., Synth. React. Inorg. Met. Org. Chem., 31(1) (2001) 127. S04 Lineer Zincir Moleküller için Dielektrik Durulmanın Stokastik Ising Modeli Üzerine Yeni Bir Çalışma S. Bozdemir, S. Eker Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Çukurova Üniversitesi, 01330 Adana Lineer zincir moleküllerin kooperatif durulma olayını analiz etmek için basit, bir-boyutlu stokastik Ising modeli çalışıldı. Modelde, birbiriyle enyakın etkileşim içinde olan dipolar spinlerin oluşturduğu bir-boyutlu molekül zinciri ele alındı. Her bir spin, moleküler zincir eksenine dik bir düzlem içinde serbestçe dönebilmektedir. Bu modelin analizinde Glauber’in dinamik Ising modeline dayanan Bozdemir’in geliştirdiği dielektrik durulma modeli kullanıldı. Sonlu elemanlı bir zincir halkası ve sonsuz elemanlı dipolar zincir molekülü için dipol korelasyon fonksiyonları hem periyodik hem de açık uçlu sınır koşulları için analitik olarak elde edildi. ′=frekansabağlınormalizeedilmiş,permitiviteninnümerikanaliziyapıldı.Modelinniteldavranışının,lineer Zaman-gecikmelibudipolkorelasyonfonksiyonlarınınFourierdönüşümündeneldeedilen,εω polimer ve polimer çözeltileri, alkali halojenür sıvılar, katı kristal ve ferroelektrik gibi lineer zincir moleküllü maddelerin dielektrik durulma verileriyle uyumlu olduğu görüldü. S05 Yüksek Enerjili Elektron Radyasyonuna Dirençli Yarıiletken Bir Malzeme: ZnO C. Coşkun, S. Tüzemen Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Atatürk Üniversitesi, 25240 Erzurum Geniş (3.4 eV) ve direk bant aralığına sahip olan ZnO (çinko oksit) yarıiletken bileşiği, yüksek kırılma voltajına ve yüksek erime sıcaklığına sahiptir. Bundan dolayı, yüksek frekans, yüksek güç ve sıcaklık devrelerinde kullanılabilirler. Yüksek eksiton enerjisine sahip olmalarından dolayı da, UV laser ve LED uygulamalarında gelecek vaat etmektedirler. Yaygın yarıiletken bileşiklere (GaAs, Si, CdTe vb) nispetle yüksek enerjili elektron radyasyonuna karşı da oldukça dirençli olmaları nedeniyle parçacık radyasyonunun yüksek olduğu uzay araştırmalarında ve karasal uygulamalarda (nükleer enerji santralleri gibi) ümit verici adaylar olarak kabul edilirler. Bununla birlikte, elektron radyasyonu ile oluşturulan ve ZnO tabanlı devre elemanlarının fiziksel özelliklerini belirleyen nokta kusurların, malzemenin fiziksel parametrelerini ne şekilde etkilediğini bilmek önemlidir. Bu çalışmada, van de Graaff elektron jeneratorü kullanılarak, farklı enerji (1-2 MeV), akım yoğunluğu (0.3-3 μA.cm-2) ve radyasyon dozu (1x1015-5x1016) altında, Eagle-Picher tarafından büyütülmüş ZnO tek kristalindeki fiziksel nokta kusurlar, sıcaklığa bağlı (100-300 K) in-situ Hall tekniğiyle incelendi. Bu elektron radyasyonlarıyla, diğer nokta kusurlara ek olarak, düşük sıcaklıklarda birbirine zayıfca bağlı ve çok kısa ömür süreleri olan Frenkel kusur çiftleri (VZn-ZnI) oluşturuldu. Bu kusurların serbest taşıyıcılar için saçılma merkezleri olarak rol oynadığı ve düşük sıcaklıklarda mobilite değerini önemli miktarda düşürdüğü gözlemlendi. Elektron radyasyonu ile oluşturulan diğer kusurlar (sığ akseptör ve donorlar) arasında, düşük sıcaklıklarda dahi (< 200 K) güçlü bir "compansation" etkisi olduğu ve oda sıcaklığında bile geride kalıcı kusurlar bırakmaksızın yok oldukları görüldü. Bu nedenle yüksek enerjili elektron radyasyonu çalışmaları ortaya koyuyor ki; yaratılan kusurlar, oda sıcaklığının oldukça altında yok olmakta ve bu da ZnO'i radyasyon ortamlarında çalışan yarıiletken tabanlı devre elemanları teknolojisinde önemli bir aday malzeme yapmaktadır. S06 Bir 4d Perovskitin Elektronik ve Yapısal Özellikleri : SrZrO3'ın Kübik Fazı E. Mete, R. Shaltaf, Şinasi Ellialtıoğlu Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Orta Doğu Teknik Üniversitesi,06531 Ankara Son yıllarda zirkonyum bazlı perovskitler dielektrik ve elektronik özelliklerinden dolayı büyük ilgi toplamaktadır. Bu çalışmada yüksek sıcaklıkta, 1400 K üzerinde, kübik faza sahip yalıtkan bir 4d perovskit olan SrZrO3'ın elektronik ve yapısal özelliklerini incelemek için yerel yoğunluk yaklaşımında ilk-prensip yoğunluk fonksiyonel hesabı yapıldı. Benzer bir hesaplama, kıyaslama amacı ile, yine bir bant-yalıtkan ve 105 K üzerinde kübik fazda jenerik bir 3d perovskit olan SrTiO3 için de gerçekleştirildi. Her iki oksit için enerji bantları, durum yoğunlukları ve yük yoğunluk dağılımları elde edilerek bant yapıları arasında kıyaslamalar ayrıntılı olarak sunuldu, ve elde edilen bu sonuçlar literatürdeki mevcut veriler ışığında yorumlandı. S07 InN Örneklerde Aktivasyon Enerji Seviyelerinin Düzlemsel Fotovoltaj Ölçümlerinden Elde Edilmesi E. Tıraş, D. Zanato*, N. Balkan* Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06532 Ankara *Optoelectronics Group, Dept. of ESE, University of Essex, Colchester, CO4 3SQ, UK InN örneklerin tuzak aktivasyon enerji seviyeleri, düzlemsel fotovoltaj ölçümleri (In-plane photovoltage, IPV) ile , 93-300 K sıcaklık aralığında, 0-2.3 W laser ışıma şiddeti altında incelendi. Deneylerde kullanılan örneklerin elektronik ve optik karakterizasyonu, klasik magnetotransport (elektriksel direnç ve zayıf magnetik alan Hall direnci) ölçümleri 77-300 K sıcaklık aralığında; fotolüminesans ölçümleri ise oda sıcaklığında yapıldı. Deneysel IPV verileri, kuramsal IPV modelleri ile karşılaştırılarak, InN örneklerde tuzak aktivasyon enerji seviyeleri 54-68 meV aralığında elde edildi. Klasik magnetotransport deneylerinden örneklerin Hall taşıyıcı yoğunluğu ve Hall mobilitesi InN tabaka genişliği ve sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edildi. Hall taşıyıcı yoğunluğu ve Hall mobilitesinin sıcaklıktan bağımsız olduğu gözlendi. Bu veriler kullanılarak InN örneklerde elektronların saçılma mekanizmaları tartışıldı. S08 Kompleks Perovskit Yüksek Sıcaklık Süperiletkenlerde Durum Yoğunluğu, Kızılötesi (IR) ve Raman Spektrumu Arasındaki İlişki F. Karadağ, A. Ekicibil, A. Coşkun, B. Özçelik Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Çukurova Üniversitesi, 01330 Adana Bu çalışmada; perovskit yapıda olan LaBaCaCuO, YBaCuO ve BiSrCaCuO yüksek sıcaklık süperiletken sistemleri için bazı yeni teorik sonuçlar elde edilmiştir. Bu sonuçlar LADY ( Lattice Dynamics ) programı kullanarak sağlanmıştır ve çalışmada durum yoğunluğu, kızılötesi ile Raman spektrumu ve entropi ile ısı kapasitesi gibi bazı termodinamik özelliklerin hesaplanması gerçekleştirilmiştir. YBaCuO için Raman spektrumunu 3800 ve 6300 cm-1 frekans aralığında ve ayrıca Infrared aktif modlarınıda 200-800 cm-1 frekans aralığında yoğunlaşmış olarak gözlemlenmiştir. Bundan başka fonon durum yoğunluğunun aynı frekans aralığında yoğunlaşmış olduğu görülmüştür. Ayrıca, bu malzemelerde izotop etkisi (O16 → O18 ) araştırılmış ve mevcut çalışmada sonuçlar malzemelerin süperiletkenlik özellikleri ile karşılaştırılmıştır. S09 Derin Seviye Tranzient Spektroskopy ile Isıl İşleme Tabi Tutulmuş GaTe Yarıiletkeninin Elektriksel Karakterizasyonu H. Efeoğlu, A. R. Peaker* Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Atatürk Üniversitesi, 25240 Erzurum *University of Manchester Institute of Science and Technology, PO Box 88, Manchester, M60 IQD, UK Tabakalı yapıda kristalleşen p-GaTe yarıiletkeninde derin seviyelerin karakterizasyonu DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) kullanılarak yapıldı. Yönlendirilmiş katılaşma metodu ile büyütülen GaTe kristal dilimleri üzerinde fabrikasyonu yapılan Al/GaTe/In yapılarda 300-140 K arasında akım iletim (I-V) mekanizmasının termal emisyon modeli ile uyumlu olduğu tespit edildi. I-V ölçümlerinde verilen sıcaklık aralığında idealite faktörü 1.055 - 1.141 ve görünür engel yüksekliği 0.649-0.618 eV arasında çok az bir değişim gösterdi. İlk kez bu çalışmada Al tabanlı Schottky yapılarda yapılan DLTS ölçümlerinde büyütme sonrası hiçbir işleme tabi tutulmamış GaTe yarıiletkeninde valans bandı üzerinde altı adet akseptör seviyesi T1, T2(408 meV), T3(448±10 meV), T4(580±14 meV), T5(659±25 meV), T6(837 meV) tespit edildi. Burada T1 akseptör seviyesinin sıra dışı bir davranışından dolayı geleneksel DLTS ölçümleri ile aktivasyon enerjisi tespit edilemedi. Azot gazı altında 200-600 oC aralığında yapılan ısıl işlem sonucunda GaTe’in yüzeyine yakın 0.2 μm kalınlığındaki bölge içinde T6, T5 derin seviye yoğunluğunda bir artışın olduğu daha derinlerde ise T4 seviyesinin baskın olduğu ve külçe içinde ise T2 veya T3 tuzak seviyesinin yalnız başına var olduğu DLTS ölçümlerinde ortaya kondu. Bu ölçümler azot gazı altında ısıl işlem sonucunda GaTe’in yüzey kompozisyonunda önemli değişimlerin olduğu ve külçe içinde T4, T5 ve T6 derin seviyelerinin yoğunluğunda önemli bir azalmanın olduğu tespit edildi. Kısmen derin seviye yoğunluğunun azaltılması GaTe’in elektriksel özelliklerinde bir iyileştirmeye yol açmasına rağmen yüzeyde ortaya çıkan aşırı derin seviye yoğunluğu azot gazı altında ısıl işlemin bu maksat için uygun olmadığını göstermektedir. Bu maksatla sıvı azot tuzaklı bir vakum sisteminde 10-5 torr basınç altında quartz tüp içinde bir miktar 6N Te ile kapatılan GaTe kristali 24 saat süre ile 400 oC de ısıl işleme tabi tutuldu. Isıl işlem sonucunda GaTe’in yüzeyinde madde kaybı oluştuğu gözlenmiş olup kristal külçe içinden hazırlanan numuneler üzerinde yapılan ölçümlerde derin seviye yoğunluğunun yaklaşık bir mertebe azaldığı tespit edildi. Bu işlem sonucunda Ga ve Te ‘in 400 oC de kısmi buhar basıncının çok düşük olmasına rağmen Ga-Te’in bileşik halinde külçe kristali terk edebildiği bulunmuş olup büyütme sonrası külçe GaTe’in uygun ısıl işlem ile elektriksel özelliklerinin iyeleştirilebileceği ortaya kondu. Bu çalışma TBAG 1828 nolu proje kapsamında desteklenmiş olup, DLTS ölçümleri NATO B2 burs desteği ile UMIST, Manchester/UK de yapılmıştır. S10 Mie Teorisi ve Homojen Olmayan Sıvılarda Işık Saçılması H. Şahan Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Çukurova Üniversitesi, 01330 Adana Bu çalışmada; homojen olmayan süspansiyon sıvıların (örneğin, içerisinde atık maddeler bulunan deniz suyu ve farklı kimyasal karışımlı sıvılar) yapısal ve fiziksel özellikleri Mie saçılma yöntemi ile incelenmiştir. Bilindiği gibi, sıvılardaki homojenliği bozan bu yapıları birer saçılma merkezi olarak kabul edebiliriz. O zaman saçılma merkezlerinin yapılarını düzlem, silindir, elipsoid olarak ele alarak bu merkezlerden saçılan elektromanyetik dalgaları T- matris yöntemi ile analiz edebiliriz. Bu çalışmada, dispersiv ortam olarak, 0°C sıcaklık, ‰ 35 tuzluluk oranına sahip, 4000 Ao dalga boyunda No = 1.35141 – ik (kırılma indisinin imajiner kısmı; k=0.005, 0.01, 0.05) kırılma indisine sahip deniz suyu ve bu suyun içinde saçılma merkezi olarak kabul ettiğimiz sırasıyla kırılma indisi; N1 = 1.16 – ik (k=0.005, 0.01, 0.05) olan quartz, kırılma indisi N2 = 1.17 – ik (k=0.005, 0.01, 0.05) olan kaolinit ve kırılma indisi; N3= 0.14 – ik (k=0.005, 0.01, 0.05) olan montmorillonit olan parçacıklar için ışık saçılması incelendi. Sistemimiz yan yana dizilmiş ve birbirinden bağımsız (basit yaklaşım) farklı kırılma indislerinden oluşan çok katmanlı bir plaka sistemi olarak tasarlandı. Bu çok katmanlı plaka sisteminde, sistemin x ekseni boyunca sıralanan her bir katmanın kalınlığı göreli olarak 4’er birim olmak üzere 0 – 20 büyüklük parametresi arasında belirlendi. Plaka dizisinin ekseni (+x) doğrultusunda olmak üzere, belirlenen materyal eksenine dik (TM–polarizasyonlu) elektromanyetik dalga gönderildi. Böylece katmanların kalınlığına (büyüklük parametresine) bağlı olarak, geçen ışık şiddetinin değişimi elde edildi ve bu hesaplamalar sonucu saçılma merkezlerinin morfolojisi (yapısı) belirlendi. S11 Düzlemsel Süperiletkenler İçin e-ph Eliashberg Teorisi I.N. Askerzade, B.Tanatar* Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Ankara Üniversitesi, 06100, Beşevler, Ankara *Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Bilkent Üniversitesi, Ankara Kuprat superiletkenlerin, magnesium dibörürün MgB2’un kristal yapısının düzlemsel karaktere sahip oldugu ve bu superiletkenlerde nonadiabatik (Fermi ve Debye enerjilerinin aynı mertebede oldugu durumda) elektron-fonon etkileşmesinin önemli oldugu kabul görmektedir. Genelleştirilmiş anisotropic Eliashberg teorisi kullanılarak kritik sıcaklık Tc hesaplanmıştır. McMillan yaklaşımında anisotropinin ve nonadiabatik elektron-fonon etkisinin kritik sıcaklıgı artırdıgı tespit edilmistir. Bununla yanısıra Eliashberg teorisinin zayıf elektron-fonon etkileşmesi yaklaşımında (BardeenCooper-Schrieffer modeli) Tc-nin elektronların konsentrasyonuna bagımlılıgı araştırılmıştır. Düzlemsel superiletkenlerin plasmon spektrumu araştırılmış ve üst örgü modeli kapsamında metalın kalınlıgı arttıkca plasmon frekansının azaldıgı gösterilmiştir. S12 Hg1-xCdxTe Yarıiletken Bileşiğinde Taşınım Özelliklerinin Monte Carlo Yöntemiyle İncelenmesi M. Akarsu, Ö. Özbaş Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir Hg1-xCdxTe yarıiletken bileşiğinde elektron taşınımı x=0.2 ile x=1. aralığında Monte Carlo simulasyonuyla incelendi. Elektron sürüklenme hızı uygulanan elektrik alanın fonksiyonu olarak belirlendi. Simulasyona dahil edilen saçılma mekanizmaları; kutupsal optik fonon, akustik fonon, iyonize safsızlık ve alaşım saçılmalarıdır. x=0.2 için düşük alan mobilitesi örgü sıcaklığının fonksiyonu olarak belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürdeki deneysel verilerle kıyaslandı. S13 Bose-Einstein Yoğunlaşmış Gazların Dönen Anizotropik Potansiyel Altında Girdap (Vortex) Örgüsü Yapıları. M. Ö. Oktel Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Bilkent Üniversitesi, Ankara Bose Einstein Yogunlasmis (BEY) bir gaza etki eden donen, anizotropic bir potansiyelin yarattigi girdap orgulerini inceledik. Ilk olarak boyle bir potansiyelde tek parcacik problemini ele alarak, yakinlasma yapmadan, tek parcacik dalga fonksiyonlari icin analitik ifadeler elde ettik. Parcaciklar arasi etkilesimlerin kuvvetine bagli olarak cok sayida veya birkac girdap'in girdigi durumlari ayri ayri analiz ettik. Cok sayida girdap bulundugu durumda gazin yogunluk profilini hesapladik ve orgunun anizotropiye ragmen duzgun bir ucgen orgu kaldigini gosterdik. Ayrica orgunun temel duzlemlerinin(lattice planes) anizotropi yonune paralel dizildigini bulduk. Birkac girdap bulundugu durumda ise sayisal hesaplama yaparak orgu yapilarini elde ettik. Bu yapilarin izotropik bir potansiyel altinda olusan yapilardan cok farkli oldugunu gozlemledik. S14 Bileşik Magnetik Yapılarda Dört-Spin Etkileşiminin Temel Durum ve Magnon Spektrumuna Etkisi B. Guliyev, R. Eminov, N. Yıldız Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Van Magnit kristallerde 4-spin etkileşiminin temel duruma, rezonans frekanslarına ve spin dalgalarının enerjisine etkisi incelenmiştir. Bu etkinin tek eksenli kristallerde dış magnit alanın büyüklüğüne ve yönüne bağlı olduğu tespit edilmiştir. Magnetik alanın simetri eksenine dik doğrultudaki durumunda alanın belli değerlerinde birinci ve ikinci tür faz geçişlerinin gerçekleşebilmesi görülmüştür. Dört-spin etkileşimi faz geçiş noktalarının ve sistemin bu noktalar civarında davranışını değiştirdiğini gösteren ifadeler bulunmuştur. Ayrıca magnon spektrumunda ( k )) 4-spin etkileşiminin katkısı değerlendirilmiş ve bu katkının rezonans noktalarını değiştirebileceği görülmüştür. Bulunmuş sonuçlar tek eksenli magnit kristallere, örneğin C6Eu türü yapılara uygulanabilir ve rezonans olaylarının deneysel sonuçlarına dayanarak 4-spin etkileşim parametreleri değerlendirilebilir. S15 Tam Yansıtan ve Tam Yansıtmayan Çok Katlı Optik İnce Filimlerin Hazırlanması ve Karakterizasyonu Ö. Duyar Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06532 Ankara İnce filimler, temel taşları olan atomların ya da moleküllerin, kaplanacakları yüzeye vakum ortamında tek tek dizilmesi ile hazırlanan, kalınlıkları 100 Å ile 10 μm arasında değişen kaplamalardır. Daha kalın kaplamalar kalın filim olarak adlandırılırlar. İnce filimler mikroelektronikte yaygın olarak kullanıldığı gibi, optik uygulamaları açısından da çok büyük öneme sahiptir. Optik kaplamalar, son yıllarda geniş kullanım alanları nedeni ile geniş bir ürün yelpazesine ve ekonomik pazara sahiptir. Gösterici ekranlardan, lazerlere, yakın UV’den yakın kırmızıaltı bölgeye kadar pek çok amaçlı kullanılabilen geniş ve dar band geçiren optik filtrelere, ve güneş pillerine kadar sivil endüstrinin ihtiyacı olan optik sistemlerde kullanım alanı buldukları gibi, özellikle savunma sanayiinin ihtiyacı olan gece görüş sistemlerinden, güdümlü füzelere ve ısıl kameralara kadar pek çok optik sistemlerde kullanılmaktadırlar. Ayrıca, çeşitli aynalar ve özellikle binalardaki enerji tüketimini azaltmakta kullanılan mimari camlarda da çok yaygın olarak kullanılmaktadırlar. Optik ince filimlerin çoğu elektromagnetik spektrumun UV, görünür ve IR bölgelerinde çalışmak üzere hazırlanır. Elektromagnetik spektrumda çıplak gözle görünür bölge yaklaşık olarak 400-700 nm arasında uzanır. Kızılötesi bölge ise görünür bölgenin kırmızısından itibaren λ=1000000 nm’ye kadar uzanan bölge olarak alınır. Kızılötesi, yakın orta ve uzak kızılötesi bölgeler olmak üzere üç bölgeye ayrılır. Dalgaboyu 700 –3000 nm arası yakın kızılötesi bölge, 3000-20000 nm arası orta kızılötesi bölge 20000-1000000 nm arası uzak kızılötesi bölgenin kapsamındadır. Askeri optiğin önemli bir kısmını kırmızıaltı optik oluşturmaktadır. Bu bölgede çalışan filtreler, aynalar, mercekler için özel kaplamalar yapmak gerekmektedir. Bu ışımanın algılanması teknolojik ve bilimsel açıdan büyük önem taşır. Gece görüş sistemleri, güdümlü füzeler, ısıl kameralar bu ışımanın algılanması prensibine göre çalışmaktadır. Doktora tez çalışmalarım kapsamında, elektromagnetik spektrumun görünür ve yakın kızılötesi bölgelerinde, tam yansıtan ve tam yansıtmayan çok katlı optik ince filimlerin tasarlanması, uygun ince filim büyütme teknikleri kullanılarak hazırlanması ve optik karakterizasyonlarının yapılması amaçlanmaktadır. Bu filimler görünür ve IR bölgelerde çalışan mercek ve pencere yapımında kullanılırlar. Optik filimlerin tasarımı için temel olarak matris methodu kullanılmaktadır. Bu methodun temeli, bütün yansıtılmış ya da geçirilmiş demetlerin elektrik ve magnetik alan bileşenlerinin Maxwell denklemlerinin sınır şartlarını sağlayacak şekilde toplanmasıdır. Çok katlı ince filimlerin tasarımında kullanılan oldukça detaylı analizler bilgisayar teknikleri sayesinde kolaylaşmaktadır. Bu sunum çerçevesinde, tam yansıtan ve tam yansıtmayan optik çok katlı filmlerin tasarımı ve bilgisayar destekli yapılan teorik çalışmalar anlatıldıktan sonra, yapılan deneysel çalışmalardan bir kaç örnek verilecektir. S16 A Study of Mg Adsorption On Si(001) Surface From First Principles R. Shaltaf, E. Mete, and Ş. Ellialtıoğlu Department of Physics, Middle East Technical University, Ankara 06531 First-principles calculations using density functional theory based on norm-conserving pseudopotentials have been performed to investigate the Mg adsorption on the Si(001) surface for 1/4, 1/2 and 1 monolayer coverages. For both 1/4 and 1/2 ML coverages it has been found that the most favorable site for the Mg adsorption is the cave site between two dimer rows consistent with the recent experiments. For the 1 ML coverage we have found that the most preferable configuration is when both Mg atoms on 2×1 reconstruction occupy the two shallow sites. We have found that the minimum energy configurations for 1/4 ML coverage is a 2×2 reconstruction while for the 1/2 and 1 ML coverages they are 2×1 S17 La1-xRxMn2Si2 (R:nadir yer elementi) Alaşımlarında Mn Alt Örgüsündeki Magnetik Faz Geçişlerinin Evrensel Davranışı I. Dinçer, A. Elmalı, Y. Elerman Fizik Mühendiliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi, Beşevler, Ankara RMn2X2 (R: nadir yer elementive X: Si veya Ge) alaşımlarındaki 3d(Mn) ve 4f(nadir yer elementi) alt örgüleri arasındaki etkileşmesi cok değişik ilginç spinşekillenimlerine neden olmaktadır. RMn2Ge2 (R: hafif nadir yer elementi) ve LaMn2Si2 alaşımlarında, Mn alt örgüsünün tabakalar arası magnetik etkileşimi ferromagnetiktir. Buna karşın bu etkileşim RMn2Ge2 (R: ağır nadir yer elementi) ve RMn2Si2 (R: hafif ve ağır nadir yer elementi) alaşımları için antiferromagnetiktir. Zayıf alan mıknatıslanma ölçümlerinden, ilk kez grubumuz tarafından T~250 K yakınında, mıknatıslanmada bir artış gözlenmektedir. Bu durum, Mn-momentlerinin doğrusal değilde, c-ekseni ile küçük bir açı yapacak şekilde düzenlenmesi şeklinde açıklanabilir. Bu magnetik faz geçişi, ferromagnetik karakterli olduğundan, düzlem içi bileşenlerin ferromagnetik düzenlenimde olduğunu söyleyebiliriz. Bu düzenlenim ferromagnetik yapıda olduğu için, magnetik Bragg yansimalarının şiddetlerinden gözlenmemesi doğaldır. Örgü sabiti 4.06Å<a<4.09Å arasında olan örnekler ise, daha karışık magnetik yapıya sahiptirler. Azalan sıcaklıkla paramagnetikten düzlem içi antiferromagnetik yapıya geçen Mn-momentleri, T<TC (inter)’ de eğik yada konik ferromagnetik yapıda düzenlernirler. Dahada düşük sıcaklıklara gidildikçe, azalan Mn-Mn uzaklığı ve nadir yer elementi alt örgüsünün düzenlenmesi ile, konik ferromagnetik yapıdan, konik ferrimagnetik yapıya geçiş gözlenir. Bu magnetik geçiş, Mn momentlerinin düzlemler arası antiferromagnetik düzenlenmesi ile ilgili olduğundan, bu geçiş sıcaklığıTN (inter), olarak belirlenmiştir. TN (inter), a’nın azalması ile, bir yay çizerek artmaktadır. A örgü parametresinin azalması, düzlem içindeki Mn-Mn uzaklığını azaltacağından, Mn momentlerinin düzlemler arası antiferromagnetik çiftlenimi giederek güçlenecek ve bu da Neèl sıcaklığının artmasına neden olacaktır. Düşük sıcaklıkta nadir yer elementin alt örgüsünün düzenlenmesi ile, oldukça karmaşık magnetik yapılar ortaya çıkmaktadır. Bunları aydınlatabilmek için, duyarlı nötron kırınım deneyleri yapılmaktadır. Nadir yer elementi alt örgüsünün düzenlenme sıcaklığının, a örgü parametresi ile fazla değişmediği belirlenmiştir [1]. [1] E. Duman, M. Acet, I. Dincer, Y. Elerman, A. Elmali, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, yayına kabul edildi S18 Dört Boyutlu Ising Modeli İçin Bilinen Sonlu Örgü Ölçekleme ve Logaritmik Düzeltmeli Sonlu Örgü Ölçekleme Fonksiyonlarının İncelenmesi Z. Merdan1, R. Erdem2, A. Günen3 1,2 3 Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Taşlıçiftlik, Tokat Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, Ankara Dört boyutlu Ising modelinin, doğrusal boyutu L=4, 6, 8, 10, 12, 14, 16 olan periyodik sınır şartlı soyut basit küp örgülerde, dört “bit”li demonlar kullanılarak Creutz Cellular Aotomaton ile simülasyonu yapıldı. Simülasyondan elde edilen veriler bilinen sonlu örgü ölçekleme teorisi ve logaritmik düzeltmeli sonlu örgü ölçekleme teorisine göre analiz edildi. Manyetik alınganlık için krik üs γ logaritmik düzeltme olmaksızın ν α γ =2.2529 logaritmik düzeltmeli ν α =2.0057 , özısı için kritik üs α logaritmik düzeltme olmaksızın ν =-0.0715 logaritmik düzeltmeli ν =0.0932 ν =-0.1055 elde edildi. Logaritmik düzeltmeli ölçekleme fonksiyonundan elde edilen kritik üslerin daha önceki çalışmalarla ve literatürdeki değerlerle daha uyumlu olduğu gözlendi.